电解质门控诱导 WO$_3$ 的绝缘体 - 金属转变
超导电性
2017-07-19 v1 材料科学
摘要
氧化钨及其相关的青铜（氧化钨与碱金属的化合物）以其有趣的光学和电学特性而闻名。我们利用离子液体和聚合物电解质，通过电解质门控改变了薄 WO 薄膜的输运性质。我们能够将门控薄膜的电阻率调节超过五个数量级，并观察到了清晰的绝缘体到金属的转变。为了阐明掺杂机制，我们进行了一系列尖锐的原位实验，排除了纯电子效应（界面附近的电荷积累）和与氧相关的机制。相反，我们提出氢嵌入是导致 WO 掺杂进入高导电基态的原因，并提供证据表明其可被描述为致密的极化子气体。
引用
@article{arxiv.1707.05748,
title = {Insulator to Metal Transition in WO$_3$ Induced by Electrolyte Gating},
author = {X. Leng and J. Pereiro and J. Strle and G. Dubuis and A. T. Bollinger and A. Gozar and J. Wu and N. Litombe and C. Panagopoulos and D. Pavuna and I. Božović},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.05748},
year = {2017}
}
备注
Manuscript (27 pages, 6 figures) merged with Supplementary Material (12 pages, 9 figures)