氢掺杂二氧化钒的连续绝缘体-金属-绝缘体相变
强关联电子
2017-09-27 v2 材料科学
摘要
我们报道了通过氢掺杂调控 VO2 薄膜中可逆相变的方法。随着掺杂浓度增加，在室温下相继观察到金属相和新的绝缘相。这表明来自掺杂氢的极化电荷起着重要作用。这些电荷逐渐占据 V3d-O2p 杂化轨道，从而调控 VO2 晶体导带边态的填充，后者最终演化为新的价带边态。这证明了 VO2 电子性质对电子浓度和轨道占据的异常敏感性，为相变机制提供了关键信息。
引用
@article{arxiv.1702.05027,
title = {Consecutive Insulator-Metal-Insulator Phase Transitions of Vanadium Dioxide by Hydrogen Doping},
author = {Shi Chen and Zhaowu Wang and Lele Fan and Yuliang Chen and Hui Ren and Heng Ji and Douglas Natelson and Yingying Huang and Jun Jiang and Chongwen Zou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05027},
year = {2017}
}
备注
16 pages, 4 figures