钨掺杂二氧化钒的电子结构

调整 M$_{1}$ VO$_{2}$ 金属-绝缘体转变温度的常用方法是通过掺杂破坏 Peierls 配对，或施加应力或应变。然而，由于即使添加少量掺杂剂也会改变能带结构，目前尚不清楚掺杂 VO$_{2}$ 如何保持实验中观察到的绝缘特性。虽然强关联可能是维持能隙的原因，但由于所涉及多体问题的复杂性，这方面的理论证据一直很难获得。在本工作中，我们使用经过修改以包含强局域 $\textbf{k}$ 空间相互作用的 GW 计算来研究钨掺杂引起的能带结构变化。我们发现，载流子掺杂与钨掺入引入的实验观察到的结构缺陷相结合，与从类能带到 Mott 绝缘行为的转变一致。