基于 VO2 的栅控结构中红外响应的静电调制
强关联电子
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们研究了由于静电掺杂相关绝缘体二氧化钒 (VO2) 引入电荷载流子而导致的红外响应变化，该 VO2 集成在场效应晶体管的架构中。空穴在 VO2 与栅介质界面的积累导致红外吸收增加。这种现象仅在 VO2 的金属 - 绝缘体转变区域观察到，该区域内金属区和绝缘区共存。我们推测，掺杂的空穴导致金属岛的生长从而促进渗流，这种效应在移除施加的栅电压后依然存在。
引用
@article{arxiv.0806.4826,
title = {Electrostatic modification of infrared response in gated structures based on VO2},
author = {M. M. Qazilbash and Z. Q. Li and V. Podzorov and M. Brehm and F. Keilmann and B. G. Chae and H. T. Kim and D. N. Basov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.4826},
year = {2009}
}
备注
14 pages, including 4 figures