n型Mott绝缘体中静电掺杂的光学探测
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
利用与n型能带半导体Nb掺杂SrTiO{3}的异质结，成功实现了对n型Mott绝缘体Sm{2}CuO{4}的静电掺杂。该结由于界面能带不连续性和耗尽区的形成而表现出整流电流-电压特性。在此结上施加反向偏置电场，能够实现对Mott绝缘体的场效应电子掺杂(据推测每个Cu原子可达6%)。电调制吸收光谱可以清晰地显示Mott间隙态的大幅改变，伴随着光谱权重向低能区域的转移，这让人联想到金属态的形成。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702351,
title = {Optical probe of electrostatic doping in an n-type Mott insulator},
author = {M. Nakamura and A. Sawa and H. Sato and H. Akoh and M. Kawasaki and Y. Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702351},
year = {2007}
}
备注
4 figures