电子掺杂 Sr$_2$IrO$_4$ 的赝能隙与电子结构
强关联电子
2018-04-11 v1
摘要
我们给出关联效应对 Mott 绝缘体 SrIrO 在电子掺杂下电子结构影响的理论研究。发现 Mott 能隙在掺杂下迅速塌缩，且电子结构在低掺杂水平呈现强烈的动量空间分化：费米面由中心位于 的口袋构成，而在 附近打开赝能隙。其物理起源被表明与短程自旋关联有关。赝能隙随掺杂增加而闭合，但沿费米面以谱强度调制为特征的差异化区域持续至更高掺杂水平。这些在胞腔动力学平均场理论框架内获得的结果，与近期角分辨光电子能谱实验相比较讨论，发现总体良好一致。
引用
@article{arxiv.1801.08835,
title = {Pseudogap and electronic structure of electron-doped Sr$_2$IrO$_4$},
author = {Alice Moutenet and Antoine Georges and Michel Ferrero},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.08835},
year = {2018}
}