作为赝能隙-莫特金属禁闭转变的莫特临界性

莫特绝缘现象涉及由于强局域排斥导致的巡游电子局域化。掺杂后，会出现一个赝能隙（PG）相——其特征是费米面的选择性能隙化，而自旋或电荷通道中没有常规对称性破缺。一个关键挑战是理解费米液体中的准粒子击穿如何产生这种神秘状态，以及它如何与莫特绝缘相和超导相联系起来。在此，我们发展了一种基于重整化的强关联晶格模型构造方法，该方法捕捉了赝能隙相的出现及其向莫特绝缘体的转变。将多体铺砌方案应用于固定点杂质模型，揭示了一个具有电子相互作用和近藤物理的晶格模型。在半填充时，杂质模型中近藤屏蔽与浴电荷涨落之间的相互作用导致了费米液体击穿。这揭示了一个赝能隙相，其特征是位于节弧上的非费米液体（莫特金属）、费米面的能隙化反节点区域，以及电子散射率随频率的异常标度。这种奇异金属的空穴-双占据子激发的最终禁闭导致了向莫特绝缘体的连续转变。我们的结果将赝能隙识别为一个独特的长程纠缠量子相，并为超越局域量子临界性范式的莫特临界性提供了一条新途径。