doped Mott 绝缘体中由短程自旋关联引起的准导体
强关联电子
2016-08-16 v3 超导电性
摘要
我们利用细胞动态均值场理论研究了二维 Hubbard 模型中 Mott-Hubbard 绝缘体向准导体相随 doping 过程的演变。短程自旋关联在谱函数中除了熟悉的 Hubbard 带外，还产生两个额外的能带。即使是极小的 doping 也会导致费米能级跳转至这些额外能带之一，并立即抑制该费米能级处的谱权重。准导体现象与这些能带密切相关。这表明准导体现象源于短程自旋关联和较大的散射率，这与若干 cuprate 中观察到的准导体现象密切相关。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502565,
title = {Pseudogap induced by short-range spin correlations in a doped Mott insulator},
author = {B. Kyung and S. S. Kancharla and D. Sénéchal and A. -M. S. Tremblay and M. Civelli and G. Kotliar},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502565},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 6 figures