电子掺杂铜氧化物中的赝能隙：导致能带分裂的强关联

赝能隙现象一直是铜氧化物高温超导体的长期谜团。电子掺杂铜氧化物中的赝能隙被归因于由反铁磁（AFM）长程序或短程关联引起的能带折叠。我们对电子掺杂铜氧化物 Pr$_{1.3-x}$La$_{0.7}$Ce$_x$CuO$_4$ 进行了角分辨光电子能谱（ARPES）研究，该材料在低温下呈现自旋玻璃、无序 AFM 行为与超导性；通过精细动量切割测量，我们发现能隙开在未折叠费米面上，而非 AFM 布里渊区边界。该能隙不显示节点，遵循布里渊区的完整对称性，其大小从区对角线向 ($\pi$,0) 方向减小，与空穴掺杂情形相反。这些观测由团簇动力学平均场理论（CDMFT）计算重现，该计算在 (CuO$_2$)$_4$ 团簇内精确考虑了电子关联。本实验与理论结果一致于如下机制：对莫特绝缘体进行电子或空穴掺杂会产生一个隙内带，其通过赝能隙与上半或下半哈伯德带分离。