电子掺杂铜氧化物中由短程自旋关联涌现的赝能隙

电子相互作用对于决定量子材料的电子结构至关重要。特别是，强电子库仑排斥被认为是描述高温超导以及电荷序或磁序等截然不同的量子物质奇异相和/或有序相涌现的基石。然而，量子材料基本电子性质的全面理解常常因一种神秘的低温电子态部分抑制现象（即赝能隙）的出现而变得复杂。在此，我们利用超快角分辨光电子能谱来揭示电子掺杂铜氧化物 Nd$_{\text{2-x}}$Ce$_{\text{x}}$CuO$_{\text{4}}$ 中低能态密度的温度演化，该系统是赝能隙与磁自由度交织的典型体系。通过在赝能隙起始温度 T* 附近光激发电子系统，我们以空前的灵敏度报道了动量分辨赝能隙谱特征与自旋关联长度之间的直接关系。这一瞬态方法辅以平均场模型计算，使我们能够确定电子掺杂铜氧化物中的赝能隙是初生反铁磁序的前驱，即使在长程反铁磁关联未建立时（如最优掺杂情形）也是如此。