掺杂自旋1/2反亚历米小亚材料中异常节点间隙

在自旋1/2反亚历米小亚材料的掺杂近绝缘子-金属转变处，许多新现象都会显现。在高温氧化铜超导体中，当反亚历米（AFM）有序被载流子掺杂抑制时，超导性便会出现，随后在神秘的节点间隙演化为点节点时，形成$d$波超导间隙。本文利用角分辨光电子能谱扫描实验，考察了电掺杂Sr$_{2}$IrO$_{4}$——这类$5d$电子的铜超导体对应物。我们观察到在低掺杂水平处，电子态在费米能级附近形成，伴随AFM区边界处的间隙，模拟电掺杂铜超导体中AFM间隙的特征。随掺杂程度增加，沿(0,0)-($\pi$,$\pi$)节点方向出现明确间隙，类似于空掺杂铜超导体中观察到的现象。这种异常节点间隙在AFM间隙消亡后仍持续存在，并随进一步掺杂逐渐减小，最终消失于报告中$d$波间隙的点节点处。这些观察在电掺杂和空掺杂铜超导体中均呈现特征，表明自旋1/2AFM小亚材料的掺杂可走向统一的节点金属化路径。