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极度非均匀 CuO$_2$ 平面上三层 Cuprate 中的近端诱导的节理金属

强关联电子 2025-11-03 v1 超导电性

摘要

ARPES 研究已确立,具有单个和双 CuO2_2 层的高 TcT_c Cuprate 从 Mott 绝缘体演变为伪 gap 态,伪 gap 态上存在 Fermi 弧,且超导 (SC) 间隙在其上开启。相比之下,在四至六层 Cuprate 中,在最内层 CuO2_2 平面上形成小孔 Fermi 包,表明呈反亚磁性。本文中,我们对三层 Bi2Sr2Ca2Cu3O10+δ\mathrm{Bi}_2\mathrm{Sr}_2\mathrm{Ca}_2\mathrm{Cu}_3\mathrm{O}_{10+\delta} 进行 ARPES 研究,覆盖广泛掺杂范围,发现尽管内层 CuO2_2 平面的掺杂水平在非均匀样品中极低,dd-波 SC 间隙被放大至不寻常的 Δ0\Delta_0\sim100 meV 位于反振点处且在 TcT_{{c}} 以上持续存在且未出现 Fermi 弧,表明呈稳健的 '节理金属'。我们将节理金属行为归因于三层 Cuprate 中最内层干净 CuO2_2 平面的独特局部环境——该平面被 nearly 最优掺杂的两个外层 CuO2_2 平面包围,因此受来自两侧的强烈近端效应。 在节理金属中,准粒子峰显示出电子-空穴对称性,表明 dd-波配对波动。因此,三层 Cuprate 中最内层 CuO2_2 平面的近端效应是最强的,这解释了为何在每个多层 Cuprate 家族中,TcT_c 在层数为 3 时达到最大值。

关键词

引用

@article{arxiv.2502.16013,
  title  = {Proximity-Induced Nodal Metal in an Extremely Underdoped CuO$_2$ Plane in Triple-Layer Cuprates},
  author = {Shin-ichiro Ideta and Shintaro Adachi and Takashi Noji and Shunpei Yamaguchi and Nae Sasaki and Shigeyuki Ishida and Shin-ichi Uchida and Takenori Fujii and Takao Watanabe and Wen O. Wang and Brian Moritz and Thomas P. Devereaux and Masashi Arita and Chung-Yu Mou and Teppei Yoshida and Kiyohisa Tanaka and Ting-Kuo Lee and Atsushi Fujimori},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2502.16013},
  year   = {2025}
}