铜氧化物表面的连续掺杂：来自原位 ARPES 的新见解
超导电性
2018-10-31 v2 强关联电子
摘要
铜氧化物超导体区别于常规超导体之处在于，载流子掺杂的微小变化可显著改变超导转变温度（T_c），产生一个超导穹顶，其中赝能隙（参考文献 1,2）出现在欠掺杂区，而费米液体出现在过掺杂区。因此，在宽掺杂范围内对其性质的系统研究对于理解超导机制至关重要。在此，我们报道了一种通过臭氧/真空退火方法对 Bi2Sr2CaCu2O8+x 表面进行连续掺杂的新技术。利用原位 ARPES，我们在宽掺杂范围内获得了能隙和相干谱权的精确量值。我们发现准粒子能隙的 d 波分量与作为超导涡旋起始的能斯特温度（参考文献 3）线性相关，强烈表明超导配对的出现与自由涡旋的起始同时发生，这对 T_c 处超导相位相干的出现以及赝能隙现象的本质具有直接意义。
引用
@article{arxiv.1805.06450,
title = {Continuous doping of a cuprate surface: new insights from in-situ ARPES},
author = {Y. G. Zhong and J. Y. Guan and X. Shi and J. Zhao and Z. C. Rao and C. Y. Tang and H. J. Liu and G. D. Gu and Z. Y. Weng and Z. Q. Wang and T. Qian and Y. J. Sun and H. Ding},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.06450},
year = {2018}
}
备注
23 pages, 10 figures, 1 table, supplementary materials included