n型 Cuprate 超导体的掺杂依赖性研究：基于 ARPES
强关联电子
2009-11-07 v2 超导电性
摘要
我们报告了对 n 型 Cuprate 超导体 Nd_4 从半填 Mott 绝缘体到 T=24K 超导体进行的角谱消散 (ARPES) 掺杂依赖性研究。我们首次揭示了 Nd2CuO4 中的电荷转移带 (CTB)。随着电子掺入系统，此特征的强度减弱，同时在费米能级附近形成谱权。低掺杂时，费米面是一个位于 (pi,0) 处、体积约为 x 的电子掏脉；进一步掺杂导致在 (pi,pi) 处、体积约为 1+x 的空穴类费米面出现。这一发现为 n 型 Cuprate 的 Mott 间隙及其掺杂演化以及异常输运特性提供了重要线索。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201119,
title = {Doping dependence of an n-type cuprate superconductor investigated by ARPES},
author = {N. P. Armitage and F. Ronning and D. H. Lu and C. Kim and A. Damascelli and K. M. Shen and D. L. Feng and H. Eisaki and Z. -X. Shen and P. K. Mang and N. Kaneko and M. Greven and Y. Onose and Y. Taguchi and Y. Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201119},
year = {2009}
}
备注
Submitted Phys. Rev. Lett. - Nov. 20, 2001