Nd_1.85Ce_0.15CuO_4 中异常电子结构与准导电态效应
超导电性
2009-11-07 v1 强关联电子
摘要
我们报告了对电荷掺杂 (n型) 铜氧化物超导体 Nd_1.85Ce_0.15CuO_4 的高分辨率角谱光电子能谱 (ARPES) 研究。我们观察到在费米能级附近强度被抑制且光谱特征较宽阔的区域，这些现象使人联想到在掺杂不足的 p型 (空穴掺杂) 铜氧化物中出现的高能“准导电态”。然而，这种准导电态并非出现在 p型材料中的 (π, 0) 区域，而是位于底层费米面与反磁性 Brillouin 区边界的交点附近。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107244,
title = {Anomalous electronic structure and pseudogap effects in Nd_1.85Ce_0.15CuO_4},
author = {N. P. Armitage and D. H. Lu and C. Kim and A. Damascelli and K. M. Shen and F. Ronning and D. L. Feng and P. Bogdanov and Z. -X. Shen and Y. Onose and Y. Taguchi and Y. Tokura and P. K. Mang and N. Kaneko and M. Greven},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107244},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures, RevTex, submitted Phys. Rev. Lett. December 21, 2000