Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$中化学势、自旋关联能隙和电荷动力学的掺杂演化
超导电性
2014-10-13 v2 强关联电子
摘要
我们报道了对NdCeCuO在宽掺杂范围00.20内的光学反射率研究。该研究揭示了化学势随掺杂的系统性移动。基于扩展Drude模型分析，在光学散射率中观察到了一个电子掺杂铜氧化物特有的显著峰结构。该峰的能量标度可能与电导率谱中的峰能量标度非常不同。我们澄清了光电子发射实验中探测到的“热点”能隙与散射率（而非电导率谱）中的尖锐抑制特征直接相关。该能隙与短程反铁磁关联有关，并随着掺杂和温度的增加以逐渐减弱的方式消失。在重过掺杂区域，在高达非常高的能量范围内，散射率被确认主要遵循依赖关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410242,
title = {Doping evolution of chemical potential, spin-correlation gap, and charge dynamics in Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$},
author = {N. L. Wang and G. Li and Dong Wu and X. H. Chen and C. H. Wang and H. Ding},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410242},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 5 figures