电子掺杂铜氧化物中电荷动力学的掺杂依赖性
强关联电子
2009-11-10 v2
摘要
在t-t'-J模型内，研究了电子掺杂铜氧化物中电荷动力学的掺杂依赖性。电导率谱显示出赝能隙结构，其中低能峰出现在处，而相当尖锐的中红外峰出现在附近；在相对低掺杂区域，电阻率表现出从高温类金属到低温类绝缘体的交叉行为，而在相对高掺杂区域则表现出类金属行为，这与实验定性一致。我们的结果还表明，电荷动力学的这些反常行为与系统中的磁关联有着引人注目的联系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404467,
title = {Doping dependence of charge dynamics in electron-doped cuprates},
author = {Tianxing Ma and Huaiming Guo and Shiping Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404467},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures, discussions are added, accepted for publication in Phys. Lett. A