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铜氧化物超导体中迈斯纳效应的掺杂依赖性

超导电性 2010-11-02 v1 强关联电子

摘要

在t-t'-J模型框架内,基于动能驱动的超导机制,研究了铜氧化物超导体中迈斯纳效应的掺杂依赖性。根据线性响应理论,电磁响应由两部分组成:抗磁电流和顺磁电流,后者在正常态下恰好抵消抗磁项,从而在整个超导穹顶区域内,对于所有温度TTcT\leq T_{c},均获得迈斯纳效应。通过考虑镜面反射模型下铜氧化物超导体的二维几何结构,很好地再现了在铜氧化物超导体上观测到的局域磁场分布、磁场穿透深度和超流密度的掺杂及温度依赖性的主要特征。特别地,与掺杂依赖的超导转变温度的穹顶形状类似,最大超流密度出现在临界掺杂δ0.195\delta\approx 0.195附近,并在较低掺杂和较高掺杂区域均下降。

关键词

引用

@article{arxiv.1008.1472,
  title  = {Doping dependence of Meissner effect in cuprate superconductors},
  author = {Shiping Feng and Zheyu Huang and Huaisong Zhao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1008.1472},
  year   = {2010}
}

备注

13 pages, 5 figures