铜氧化物超导体中电子拉曼响应的掺杂与温度依赖关系
超导电性
2010-11-15 v2 强关联电子
摘要
在t-J模型的动能驱动超导机制框架内，研究了铜氧化物超导体中电子拉曼响应的掺杂与温度依赖关系。结果表明，低能偏移处的温度依赖性损耗在B_{1g}对称性中比在B_{2g}对称性中更快。类似于掺杂依赖的超导转变温度的穹顶状形状，B_{2g}通道中的拆对峰能量在欠掺杂区域随掺杂增加而增加，在最佳掺杂处达到最大值，然后在过掺杂区域下降。此外，总的库珀对密度在欠掺杂区域随掺杂增加而增加。
引用
@article{arxiv.1004.4745,
title = {Doping and temperature dependence of electronic Raman response in cuprate superconductors},
author = {Zhihao Geng and Shiping Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.4745},
year = {2010}
}
备注
7 pages, 5 figures, updated references, accepted for publication in Phys. Lett. A