高温超导体中涨落抗磁性的掺杂依赖性
超导电性
2015-12-15 v2 强关联电子
摘要
利用 Banerjee 等人近期提出的类 Ginzburg-Landau 晶格自由能泛函（Phys. Rev. B 83, 024510 (2011)），我们计算了高温超导体作为掺杂、磁场和温度函数的涨落抗磁性。我们分析了铜氧化物中超导转变温度以上的配对涨落，范围从强相位涨落主导的欠掺杂极限到更传统的振幅涨落主导的过掺杂区域。我们表明，一个配对能标随欠掺杂增加而超流密度减小的模型，产生了赝能隙区域中观测到的磁化特征，与实验数据在定性上和合理的定量上吻合良好。特别是，我们明确表明，即使赝能隙具有配对起源，磁化实际上跟踪的是超导穹顶而不是赝能隙温度，正如实验所见。我们讨论了涨落抗磁性的“起始”温度的掺杂依赖性，并评论了涡旋核心能在我们模型中的作用。
引用
@article{arxiv.1309.3776,
title = {Doping dependence of fluctuation diamagnetism in High Tc superconductors},
author = {Kingshuk Sarkar and Sumilan Banerjee and Subroto Mukerjee and T. V. Ramakrishnan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.3776},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 10 figures, Longer version