空穴掺杂铜氧化物的配对破缺、赝能隙与超导Tc：相互关系及启示
超导电性
2018-09-18 v1 强关联电子
摘要
无论属于哪一类，所有空穴掺杂高温Tc铜氧化物超导体在欠掺杂区均表现出超导转变温度与特征赝能隙能量之间的反相关性。准粒子谱密度中掺杂依赖的赝能隙被认为消除了低能电子态，从而减少了超导凝聚体。另一方面，CuO2面内的杂质在幺正极限下破坏库珀对并降低超流密度。纯铜氧化物中的赝能隙与无序铜氧化物中的杂质散射均非常有效地降低了Tc。在本研究中，我们比较并对比了空穴掺杂铜氧化物中由赝能隙和杂质散射导致Tc退化的机制。我们提出了一个框架，其中这两个因素可在大致平等的基础上处理。除依赖杂质和赝能隙的超导转变温度外，本工作还利用所提情景研究了高温Tc铜氧化物中依赖无序和空穴含量的同位素指数。
引用
@article{arxiv.1809.05809,
title = {Pair-Breaking, Pseudogap, and Superconducting Tc of Hole Doped Cuprates: Interrelations and Implications},
author = {S. H. Naqib and R. S. Islam and Ihtisham Qabid},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.05809},
year = {2018}
}
备注
This is a slightly revised version of the paper accepted for publication in the Journal of Superconductivity and Novel Magnetism