高Tc铜化合物中的准空隙与超导涨落

Shigeki Onoda; Masatoshi Imada

高Tc铜化合物中的准空隙与超导涨落

超导电性 2007-05-23 v1 强关联电子

作者: Shigeki Onoda , Masatoshi Imada

摘要

我们分析了在欠掺杂铜化合物中广泛观察到的准空隙现象。我们假设存在一种强d波配对力，与反亚铁磁(AFM)涨落竞争，并在 $(\pi,0)$ 和 $(0,\pi)$ 区域形成平坡且阻尼的色散，这两个要素均源于与Mott绝缘体的临近性。运用d波超导(dSC)与AFM涨落的模式-模式耦合理论，我们再现了铜化合物中磁共振、中子散射、角分辨光电子能谱和隧道测量所见准空隙的基本特征。随后阐明了理解这些准空隙现象的最基本要求正是上述两个要素。配对与反亚铁磁涨落的强烈竞争抑制了相变温度，从而在欠掺杂区域生成准空隙，而AFM涨落的弱性则导致在最优掺杂浓度处无准空隙。

关键词

准空隙超导涨落 d波配对 AFM 涨落模式-模式耦合 Mott 绝缘体铜化合物

引用

@article{arxiv.cond-mat/0005371,
  title  = {Pseudogap and Superconducting Fluctuations in High-Tc Cuprates},
  author = {Shigeki Onoda and Masatoshi Imada},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0005371},
  year   = {2007}
}

备注

13 pages including 4 figures, to appear in J. Phys. Soc. Jpn. Suppl

高Tc铜化合物中的准空隙与超导涨落

摘要

关键词

引用

备注

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