高Tc铜氧化物超流体权重的掺杂和温度依赖性

使用我们最近发展的t-J哈密顿量的改进slave-boson方法[Phys. Rev. B 64, 052501 (2001)]，我们报告了超流体权重的空穴掺杂和温度依赖性。结果表明，在低空穴掺杂浓度x和低温T下，超流体权重$n_s/m^*$随温度呈线性下降的趋势，并且$\frac{n_s}{m^*}(x,T)$对T的斜率具有掺杂无关性，符合关系$\frac{n_s}{m^*}(x,T) = \frac{n_s}{m^*}(x,0) - \alpha T$，其中$\alpha$为常数。还证明了Tc随空穴掺杂浓度x增加而增加，在最佳掺杂时达到饱和(最大值)，并在过掺杂区域随x和$n_s/m^*$的增加而减小。Tc的这种反射(下降)行为归因于过掺杂区域自旋(自旋子对序)和电荷(空穴子对序)自由度之间耦合的减弱。所有这些发现都与$\mu$SR测量一致。