掺杂Mott绝缘体中的固有相润落与超流密度

掺杂Cuprate材料中超流密度$\rho_{\text{s}}$在负掺杂和正掺杂 regimes中表现出不同行为，而超导（SC）临界温度$T_c$通常随$\rho_{\text{s}}$而标度。本文通过纳入掺杂Mott绝缘体中将自旋和电荷自由度耦合的底层相互克隆斯莫斯赫 gauge 结构，提出了对$T_c$和$\rho_{\text{s}}$整个掺杂范围内的统一理解。在此框架下，SC相的润落与自旋动力学深度交织，使得热激发的中性自旋决定$T_c$，而量子自旋激发在零温度下有效地降低超流密度。因此，负掺杂 regime中$T_c$与$\rho_{\text{s}}$的Uemura式标度自然出现，而$T_c$和$\rho_{\text{s}}$在正掺杂时的抑制归因于反亚历山大自旋关联的急剧降低。