欠掺杂铜氧化物中库珀对相涨落的理论分析：自旋涨落交换研究

我们针对自旋涨落配对相互作用研究了铜氧化物超导体中的库珀对相涨落。利用电子理论，我们特别对欠掺杂铜氧化物超导体计算了超流密度$n_s(T)$、出现相干库珀对的超导转变温度$T_c(x) \propto n_s$，以及相非相干库珀对消失的$T_c^{*}(x)$。我们还给出了穿透深度$\lambda(x,T)$和谱密度中出现能隙结构的弱赝能隙温度$T^{*}(x)$的结果。仅在$T < T_c$时获得迈斯纳效应。我们发现相涨落在欠掺杂区变得愈发重要，并导致$T_c$的降低，与实验情形很好吻合。