电掺杂氧化钙超导体的相图
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
我们研究了高Tc氧化钙超导体中电掺杂系统的相图。我们在涨落交换(FLEX)近似和自洽t矩阵近似中分别计算了超导临界温度Tc、反亚铁磁临界温度TN、以及受反亚铁磁涨落影响的NMR松弛率1/T1。获得的相图与掺杂孔载体系统具有共同特征，包括反亚铁磁态、超导态以及自旋间隙现象。然而，TN、Tc和Tsg(自旋间隙温度)的掺杂依赖性与孔掺杂系统不同。这种差异源于这些系统中in-gap态的本质属性——它们分别与孔掺杂系统中的Zhang-Rice singlets以及电掺杂系统中的d电子相关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202116,
title = {Phase Diagram of the Electron-Doped Cuprate Superconductors},
author = {Akito Kobayashi and Atsushi Tsuruta and Tamifusa Matsuura and Yoshihiro Kuroda},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202116},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures