高压下实现电子掺杂铜氧化物的最优临界温度
强关联电子
2013-05-21 v1 材料科学
超导电性
摘要
自空穴掺杂三层铜氧化物在高压下优化以来，追求更高临界温度 (Tc) 的竞赛实际上已停滞。我们报道了电子掺杂无限层铜氧化物 Sr0.9La0.1CuO2 在反铁磁临界点附近，其 Tc 在高压下的异常升高。施加 15 GPa 的压力后，Tc 升至 45 K，这是电子掺杂铜氧化物中的最高温度，并证实了非常规超导性。我们描述了 Sr1-xLaxCuO2 的电子相图，以讨论反铁磁序与超导性之间的关系。
引用
@article{arxiv.1305.4234,
title = {Optimal Tc for Electron-Doped Cuprate Realized under High Pressure},
author = {Shintaro Ishiwata and Daichi Kotajima and Nao Takeshita and Chieko Terakura and Shinichiro Seki and Yoshinori Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4234},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 4 figures