高压对单晶电子掺杂 Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$ 的影响

我们对电子掺杂铜氧化物 Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$ 进行了高压金刚石对顶砧同步辐射 X 射线、电阻率和交流磁化率测量，压力范围远超此前报道。在 2.72 GPa 时，最佳掺杂的 Pr$_{1.85}$Ce$_{0.15}$CuO$_{4}$ 中 88% 至 98% 的超导 T$^\prime$ 相 \cite{Tprime} 转变为绝缘 T 相。剩余 2-12% T$^\prime$ 相的 T$_{c}$ 从 22 K 持续抑制至约 14 GPa 时的 18.5 K。值得注意的是，过掺杂 Pr$_{1.83}$Ce$_{0.17}$CuO$_{4}$ 的 T$_{c}$ 即使在 32 GPa 下也基本保持不变。电子掺杂铜氧化物的这种行为与空穴掺杂铜氧化物形成对比，后者的 T$_{c}$ 在施加压力下首先会显著增强。