电子掺杂铜氧化物超导体中电荷序的掺杂依赖性
超导电性
2017-11-01 v2
摘要
在铜氧化物超导体非常规物理的最新研究中，核心问题之一是电荷序与超导性的相互作用。本文基于t-J模型研究了电子掺杂铜氧化物超导体中电荷序形成的机制。实验观察到的电子准粒子散射率的动量依赖性被定性重现，其中散射率在动量空间中高度各向异性，并且与电荷序能隙有趣地相关。尽管散射强度在热点处似乎最弱，但反节点区的散射强于节点区，这导致原始电子费米面破裂为费米口袋，以及它们与位于节点区附近的费米弧共存。特别地，这种电子费米面不稳定性驱动电荷序关联，其电荷序波矢与连接热点的波矢良好匹配，正如空穴掺杂对应物中的电荷序关联。然而，与空穴掺杂情况形成鲜明对比的是，电子掺杂侧的电荷序波矢大小随电子掺杂而增加。该理论还显示了单电子费米学与电子密度集体响应之间存在定量联系。
引用
@article{arxiv.1705.11072,
title = {Doping dependence of charge order in electron-doped cuprate superconductors},
author = {Yingping Mou and Shiping Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.11072},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 6 figures, updated the references, accepted for publication in Philosophical Magazine