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电子掺杂单带哈伯德模型中稳健的电荷密度波关联

强关联电子 2023-05-26 v1 材料科学

摘要

越来越多的证据表明,空穴掺杂的单带哈伯德模型和 tt-JJ 模型不具有反映高温铜氧化物超导体的超导基态,而是具有条纹状的自旋和电荷有序基态。尽管如此,有观点认为这些模型仍可为电子掺杂材料提供一个有效的低能模型。在此,我们利用量子蒙特卡洛动力学团簇近似计算,研究了电子掺杂哈伯德模型中的有限温度自旋和电荷关联,并将其行为与在相图空穴掺杂侧发现的行为进行了对比。我们发现了电荷调制的证据,该调制同时具有棋盘状和单向分量,且与任何自旋密度调制解耦。这些关联与基于费米面嵌套的弱耦合描述不一致,并且它们的掺杂依赖性在性质上与共振非弹性 X 射线散射测量结果一致。我们的结果为单带哈伯德模型描述了电子掺杂铜氧化物提供了证据。

关键词

引用

@article{arxiv.2210.14930,
  title  = {Robust charge-density wave correlations in the electron-doped single-band Hubbard model},
  author = {Peizhi Mai and Nathan S. Nichols and Seher Karakuzu and Feng Bao and Adrian Del Maestro and Thomas A. Maier and Steven Johnston},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2210.14930},
  year   = {2023}
}