掺杂二维 Hubbard 模型中自旋与电荷序的温度依赖性

包括自旋与电荷非均匀图案在内的竞争和交织序在许多关联电子材料（如高温超导体）中被观测到。通过引入约束路径辅助场量子蒙特卡罗(AFQMC)方法的一项新发展，我们研究了二维 Hubbard 模型中热涨落与量子涨落的相互作用。我们在三个代表性掺杂水平 $\delta = 1/5$、$1/8$ 和 $1/10$ 下，获得自旋与电荷关联随温度 $T$ 演化的准确且系统的表征，以及其如何与基态相连。我们发现随着 $T$ 降低，短程公度反铁磁关联增强。当关联长度增长到足够大时，出现调制的自旋密度波(SDW)。在 $\delta = 1/5$ 时，SDW 饱和并在 $T \rightarrow 0$ 时保持短程。相反，在 $\delta = 1/8$ 和 $1/10$ 时，这演化为基态条纹相。我们研究了自旋序与电荷序之间的关系，发现电荷序的形成似乎由自旋序的形成所驱动。我们确定了电荷有序开始的有限温度相变，并讨论了我们的结果对该相变性质的启示。