电掺杂氧化铜材料的相关能带结构

我们对n型氧化铜材料光谱函数的掺杂依赖性进行数值研究。采用基于自能泛函理论的变分簇扰动理论方法，计算了电掺杂二维 Hubbard 模型的光谱函数。该模型包含最近邻电子跳跃参数 $t'$ 以及在半填充和掺杂水平从 $x=0.077$ 到 $x=0.20$ 范围内固定的作用相互作用 $U=8t$。我们的结果支持，对于电掺杂氧化铜材料的单粒子谱进行完整描述，需要对强电子关联作出恰当的处理。与以往弱耦合方法不同，我们在无需引入掺杂相关的作用相互作用 $U$ 的情况下，能够一致地解释 ARPES 实验结果。