铜氧化物的中间耦合模型：将涨落引入赝能隙与超导电性竞争的弱耦合模型
超导电性
2011-05-31 v1 强关联电子
摘要
我们证明，在铜氧化物的各种光谱学中，许多归因于强关联效应的特征，可以通过包含自旋和电荷涨落效应的自能计算来捕捉。自能的计算覆盖了从半填充到过掺杂系统的整个掺杂范围。在正常态下，谱函数揭示了四个子带：两个宽分裂的非相干带，代表两个哈伯德带的残余；以及两个额外的相干、自旋和电荷修饰的能隙内子带，它们被自旋密度波分裂，并在过掺杂区域坍缩。由此产生的相干子带与我们早期的平均场结果非常相似。这里，我们概述了平均场计算与扩展到中间耦合区域的新结果的综合成果。
引用
@article{arxiv.1002.0106,
title = {Intermediate coupling model of cuprates: adding fluctuations to a weak coupling model of pseudogap and superconductuctivity competition},
author = {R. S. Markiewicz and Tanmoy Das and Susmita Basak and A. Bansil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0106},
year = {2011}
}
备注
International Workshop on Strong Correlations and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy, 2009, Zurich, Switzerland, 5 pages, A key reference to this paper is arXiv:0807.4257