电掺杂 Cuprate 中的 pseudogap 的强耦合与弱耦合机制
强关联电子
2009-11-10 v1 超导电性
摘要
我们采用两粒子自洽方法和簇扰动理论，对二维 t-t'-t''-U Hubbard 模型进行研究，讨论近期对电掺杂 Cuprate 的角度解析光谱学中观察到的 pseudogap 的强弱耦合机制。在强耦合机制的情况下，即在靠近半填充位置更为相关，pseudogap 可主要由靠近 Mott 绝缘体的短程关联所致。在最优掺杂附近，弱耦合物理更为相关，巨大的亚铁磁关联长度（见于中子测量）是 pseudogap 的来源。后者情况下，t-J 模型不可适用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407085,
title = {Strong- and weak-coupling mechanisms for pseudogap in electron-doped cuprates},
author = {V. Hankevych and B. Kyung and A-M. Dare and D. Senechal and A. M. Tremblay},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407085},
year = {2009}
}
备注
contributed paper to the proceedings of SNS2004