小 Hubbard 团簇中赝能隙的强耦合机制

在空穴掺杂的铜氧化物中，赝能隙指的是在缺乏超导长程有序的情况下低能态密度的抑制。大量 Hubbard 模型的计算显示了单粒子谱中的赝能隙，与铜氧化物的角分辨光电子能谱和隧穿实验有惊人相似性。然而，尚未建立明确的机制。在此，我们通过精确对角化求解 $2\times2$ 团簇上的 Hubbard 模型，并对扭曲边界条件进行积分。在单粒子态密度中发现了具有以下特征的赝能隙：随空穴掺杂增加能量尺度和起始温度下降，在接近 15\% 的临界空穴掺杂处闭合，电子掺杂时不存在，由能隙中心位置指示的粒子–空穴不对称性，以及在 $U/t \to \infty$ 强耦合极限中持续存在。研究多体激发谱揭示，单粒子谱中的赝能隙源于裸电子与 $U/t \gtrsim 8$ 时最低能量激发之间的正交性。