不同铜氧化物超导体中掺杂与内部化学压力控制的相分离模型

K. I. Kugel; A. L. Rakhmanov; A. O. Sboychakov; Nicola Poccia; Antonio Bianconi

doi:10.1103/PhysRevB.78.165124

不同铜氧化物超导体中掺杂与内部化学压力控制的相分离模型

强关联电子 2008-10-29 v2 超导电性

作者: K. I. Kugel , A. L. Rakhmanov , A. O. Sboychakov , Nicola Poccia , Antonio Bianconi

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摘要

在双带模型框架内，我们研究了不同种类强关联载流子的相分离区域，将其视为两组能带之间能量分裂的函数。窄（宽）带模拟了更局域化（更离域化）的载流子类型。通过假设由层间失配引起的CuO $_2$ 层上的内部化学压力控制着两组态之间的能量分裂，理论预测能够再现大微应变下铜氧化物实验压力-掺杂- $T_c$ 相图中掺杂高于1/8时的相分离区域，正如过氧化的La $_2$ CuO $_4$ 中所出现的那样。

关键词

相分离铜氧化物超导体双带模型掺杂内部化学压力载流子微应变

引用

@article{arxiv.0809.4219,
  title  = {A model for the phase separation controlled by doping and the internal chemical pressure in different cuprate superconductors},
  author = {K. I. Kugel and A. L. Rakhmanov and A. O. Sboychakov and Nicola Poccia and Antonio Bianconi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0809.4219},
  year   = {2008}
}

备注

8 pages, 5 figures, submitted to Phys. Rev. B

不同铜氧化物超导体中掺杂与内部化学压力控制的相分离模型

摘要

关键词

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备注

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