多层高 T_c 铜氧化物中的载流子不平衡对垂直隧穿和费米面影响
强关联电子
2009-11-11 v2 超导电性
摘要
我们研究了在具有四个以上 CuO₂ 平面单元胞的多层铜氧化物中垂直隧穿 t_⊥ 的掺杂依赖性。当平面内禁止双占据时，Gutzwiller 近似中 t_⊥ 的有效�幅与相邻两个平面掺杂率之积的平方根成正比，即 t^eff_⊥ ∝ t_⊥ √(δ₁δ₂)，其中 δ₁ 和 δ₂ 表示两个平面的掺杂率。超过三层的铜氧化物具有两种类型的 CuO 平面，即内平面 (IP) 和外平面 (OP)，导致 t^eff_⊥ 具有两个不同的值，即在 IP 之间 t^eff_⊥1 ∝ t_⊥ √(δ_IP δ_IP)，以及在 IP 和 OP 之间 t^eff_⊥2 ∝ t_⊥ √(δ_IP δ_OP)。通过均匀场理论计算了四层 t-t'-t''-J 模型中的费米面。势能、t_⊥ 的再归一化因子以及使 IP 和 OP 之间产生载流子不平衡的势能，是自一致地确定的，用于几个掺杂率。我们展示了费米面的垂直分裂，这可能在角分辨光子能谱测量中观察到。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511249,
title = {Charge Imbalance Effects on Interlayer Hopping and Fermi Surfaces in Multilayered High-T_c Cuprates},
author = {M. Mori and T. Tohyama and S. Maekawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511249},
year = {2009}
}
备注
Some typographical errors are revised. Journal of Physical Society of Japan, Vol.75, No.3, in press