多层铜氧化物中由电子关联引起的自掺杂效应
超导电性
2017-08-08 v2
摘要
研究了多层铜氧化物超导体中外层与内层CuO面（OP与IP）之间的自掺杂效应。当考虑基于第一性原理计算导出的汞系三层铜氧化物的三层紧束缚模型时，与IP相比，OP中的电子浓度变得更大。这与实验事实（更多的空穴载流子往往被引入OP而非IP）不一致。我们研究了一个三层Hubbard模型，采用针对多层系统的两粒子自洽方法以纳入电子关联。我们观察到IP中的双占据（反铁磁不稳定性）比OP减少（增加）得更多，并且揭示出为了从在位Hubbard相互作用中获得能量增益，更多的电子往往被引入IP而非OP。这些结果与实验事实一致，并且OP与IP之间的这种电子分布可解释为源于强电子关联的自掺杂效应。
引用
@article{arxiv.1704.04867,
title = {Self-doping effect arising from electron correlations in multi-layer cuprates},
author = {Kazutaka Nishiguchi and Shingo Teranishi and Koichi Kusakabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.04867},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 7 figures, to be submitted in Journal of the Physical Society of Japan