高温超导体HgBa2CuO4中的掺杂诱导电荷 Redistribution
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
为理解掺杂与高温超导体中电子性质之间的关系，我们对单层 cuprate HgBaCuO中氧掺杂效应进行第一性原理计算。通过 supercell 和 single cell virtual crystal type 方法研究掺杂效应。我们发现，在掺杂浓度达到 之前，掺杂原子呈离子行为。多余的氧原子从 CuO 平面上吸引电子，从而增加该构件中的空穴浓度。当氧的 壳几乎完全填满时，空穴数目最大。因此，费米能级处的态密度在最佳氧含量处呈现明显的最大值。计算得到的掺杂随掺杂浓度变化的空穴含量与实验结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109089,
title = {Doping induced charge redistribution in the high temperature superconductor HgBa2CuO4},
author = {P. Süle and C. Ambrosch-Draxl and H. Auer and E. Y. Sherman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109089},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures, comments to [email protected]