氧掺杂 HgBa$_2$CuO$_{4}$ 中的非均匀性效应
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
我们理论上探讨了非均匀性对 HgBaCuO 中电荷、电场梯度及原位投影态密度的影响。我们发现，不同原子位点的掺杂孔数存在显著差异。这些位点对费米能级附近态密度的贡献在同一能量处峰值化，但幅度可相差最高 70%，且能量依赖性不同。由于这种能量依赖性，针对 Cooper 配对介质介质的准粒子介导机制，固相性非均匀性在超导性中的作用强度及其性质均显著依赖于能量及准粒子类型。我们的结果可解释通过局部或宏观实验探测器观察到的掺杂效应的起源。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602047,
title = {Inhomogeneity effects in oxygen doped HgBa$_2$CuO$_{4}$},
author = {C. Ambrosch-Draxl and E. Ya. Sherman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602047},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 2 figures