压力诱导的 Hg 基铜氧化物超导体的空穴掺杂
超导电性
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我们研究了在高达 15 GPa 的静水压下，具有一至四个 CuO2 层的 Hg 基高 Tc 铜氧化物中铜氧面的电子结构和空穴含量。我们发现，随着压力诱导的约 0.05e 的额外空穴数，费米能级处的态密度改变了约 2 倍。同时，鞍点移动到费米能级，并伴随着增强的 k_z 色散。这一发现解释了 Tc 的压力行为，并得出结论：van Hove 情景的适用性是受限的。通过与实验比较，我们估计耦合常数约为 1，排除了弱耦合极限。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0408288,
title = {Pressure-induced hole doping of the Hg-based cuprate superconductors},
author = {C. Ambrosch-Draxl and E. Ya. Sherman and H. Auer and T. Thonhauser},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408288},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures