三轨道 CuO$_2$ Hubbard 模型的掺杂不对称性
强关联电子
2015-11-11 v1
摘要
尽管空穴掺杂和电子掺杂的铜氧化物均可展现 波超导性,但已知掺杂载流子的局域分布显著不同:掺杂空穴主要位于 O 位,而掺杂电子位于 Cu 位。本文报道了针对 CuO 晶格的三轨道模型的密度矩阵重整化计算结果。除了空穴和电子掺杂时 Cu 和 O 的晶胞内占据的不对称依赖关系外,我们发现更长程的自旋和电荷关联存在重要差异。正如预期,对于空穴和电子掺杂体系,对场响应均具有 类结构。
引用
@article{arxiv.1503.01533,
title = {Doping Asymmetry of a 3-orbital CuO$_2$ Hubbard Model},
author = {Steven R. White and D. J. Scalapino},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.01533},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 7 figures