电掺杂铜氧化物超导体中的高能自旋与电荷激发
超导电性
2015-06-18 v1 强关联电子
摘要
载流子掺杂对超导性层状铜氧化物中电子（自旋与电荷）激发的演变是一个极其重要的问题，关于其在电子掺杂与空穴掺杂之间的不对称性认识仍十分零散。本文结合 X 射线和中子无限质谱测量，追踪电子掺杂材料中自旋与电荷激发的掺杂依赖性。铜 L3 共振无限质谱显示，磁激发随掺杂呈现更高能量位移。其色散曲线在磁区中心附近变得更陡峭，并与电荷激发深度混合，表明电子在掺杂金属态中获得高度可移动性。此外，在磁激发以上，还观察到一个额外的色散特征位于 Γ 点附近，我们将其归因于粒子-空穴电荷激发。这些特性与即使在高掺杂水平下，最近在空穴掺杂化合物中观察到的较局域自旋激发（paramagnons）形成鲜明对比。
引用
@article{arxiv.1403.0283,
title = {High-energy spin and charge excitations in electron-doped copper oxide superconductors},
author = {K. Ishii and M. Fujita and T. Sasaki and M. Minola and G. Dellea and C. Mazzoli and K. Kummer and G. Ghiringhelli and L. Braicovich and T. Tohyama and K. Tsutsumi and K. Sato and R. Kajimoto and K. Ikeuchi and K. Yamada and M. Yoshida and M. Kurooka and J. Mizuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.0283},
year = {2015}
}
备注
20 pages