铜基超导体中耦合强度的掺杂与动量依赖关系

超导是由电子通过交换集体玻色激发而相互作用引起的，然而，这种形成电子对的玻色胶水通过电子与集体玻色激发的耦合强度得以体现。本文在动力学能驱动超导机制的框架内，研究了铜基超导体中电子与自旋激发的耦合强度的掺杂与动量依赖关系。利用电子间通过交换自旋激发相互作用所产生的粒子-空穴通道中的正常自能与粒子-粒子通道中的配对自能，分别提取出粒子-空穴与粒子-粒子通道中电子与自旋激发的耦合强度。结果表明，在超导转变温度以下，反节点附近的粒子-空穴与粒子-粒子通道中的耦合强度均由两个峰组成，在最佳掺杂区有一个位于约5 meV的尖锐低能峰，以及一个以约40 meV处弱峰为中心的宽能带。特别地，粒子-空穴通道中耦合强度的双峰结构可延续至正常态，而作为超导能隙d波型对称性的结果，粒子-粒子通道中的耦合强度在节点处消失。然而，在欠掺杂区，耦合强度中峰的位置随掺杂增加而向更高能量移动。更具体地说，尽管耦合强度中峰的位置从反节点到电子Fermi面上的热点向低能移动，但峰的权重随动量从反节点向热点移动而平滑减小，并在热点处消失。