电子掺杂铜氧化物超导体中的电子-自旋激发耦合
超导电性
2011-09-12 v1 材料科学
强关联电子
摘要
铜氧化物中的高温（高Tc）超导性源于对其反铁磁（AF）绝缘母体化合物的电子或空穴掺杂。AF相随掺杂的演化及其与超导性的空间共存受电荷和自旋关联性质的支配，并为高Tc超导机制提供了线索。在此，我们结合中子散射和扫描隧道谱（STS）来研究通过氧退火过程获得的电子掺杂超导体Pr0.88LaCe0.12CuO4-delta的Tc演化。我们发现，中子散射探测到的自旋激发具有两种不同的模式，它们随Tc的演化方式与STS中的电子隧穿模式极为相似。这些结果表明，反铁磁性与超导性在纳米长度尺度上局部竞争并空间共存，且低能区主导的电子-玻色子耦合起源于电子-自旋激发。
引用
@article{arxiv.1105.3987,
title = {Electron-Spin Excitation Coupling in an Electron Doped Copper Oxide Superconductor},
author = {Jun Zhao and F. C. Niestemski and Shankar Kunwar and Shiliang Li and P. Steffens and A. Hiess and H. J. Kang and Stephen D. Wilson and Ziqiang Wang and Pengcheng Dai and V. Madhavan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.3987},
year = {2011}
}
备注
30 pages, 12 figures, supplementary information included