NaFe$_{1-x}$Co$_x$As中磁激发的电子掺杂演化

我们利用飞行时间(ToF)非弹性中子散射(INS)谱研究跨越NaFe$_{1-x}$Co$_x$As ($x=0, 0.0175, 0.0215, 0.05,$ 和 $0.11$) 相图的磁激发掺杂依赖。通过部分用Co替代Fe进行电子掺杂的效果是形成与超导耦合的共振，拓宽并抑制低能($E\le 80$ meV)自旋激发，相较于未掺杂NaFeAs中的自旋波。然而，高能($E> 80$ meV)自旋激发弱依赖于Co掺杂。对NaFe$_{1-x}$Co$_x$As的局域自旋动力学磁化率$\chi^{\prime\prime}(\omega)$积分揭示总涨落矩为3.6 $\mu_B^2$/Fe，并随电子掺杂发生微小但系统的降低。在Co过掺杂非超导NaFe$_{0.89}$Co$_{0.11}$As中存在大自旋能隙，表明费米面嵌套导致了低能自旋激发。这些结果平行于BaFe$_{2-x}$Ni$_x$As$_2$中Ni掺杂的自旋激发演化，确认了低能自旋激发与巡游电子耦合对超导重要，而弱掺杂依赖的高能自旋激发源于局域磁矩的观点。