电子掺杂Ba(Fe1-xCox)2As2中自旋动力学的掺杂依赖性
超导电性
2010-08-24 v2 强关联电子
摘要
通过非弹性中子散射，研究了从非掺杂到过掺杂整个范围内电子掺杂单晶Ba(Fe1-xCox)2As2的自旋动力学。我们在最佳掺杂化合物（x=0.06）的正常态中观察到阻尼磁涨落，这些涨落与母体化合物（x=0）顺磁态中的涨落具有显著的相似性。在过掺杂超导化合物（x=0.14）中，磁激发表现出类似能隙的行为，可能与空穴费米面的拓扑变化（利夫希茨相变）有关，而自旋磁化率的虚部则显著类似于过掺杂铜氧化物。对于重度过掺杂的非超导化合物（x=0.24），磁散射消失，这可能归因于光发射观测到的空穴费米面口袋的缺失。
引用
@article{arxiv.0912.4945,
title = {Doping Dependence of Spin Dynamics in Electron-Doped Ba(Fe1-xCox)2As2},
author = {K. Matan and S. Ibuka and R. Morinaga and Songxue Chi and J. W. Lynn and A. D. Christianson and M. D. Lumsden and T. J. Sato},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4945},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 5 figures, published version