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$Ba(Fe_{1-x}Co_{x})_{2}As_{2}$ 超导体中能隙结构与自旋涨落配对的掺杂演化

超导电性 2019-02-20 v1

摘要

研究了 Ba(Fe1xCox)2As2Ba(Fe_{1-x}Co_{x})_{2}As_{2} 族中超导态结构和自旋涨落配对机制的掺杂依赖关系。对实验数据的类 BCS 分析表明,在远离反铁磁(AFM)转变的过掺杂区,电子与空穴能隙之间的自旋涨落相互作用较弱,且 Ba(Fe1xCox)2As2Ba(Fe_{1-x}Co_{x})_{2}As_{2} 以三个本质不同的能隙为特征。在三能隙态中,各向异性(无节点)电子能隙 Δe(x,ϕ)\Delta_e (x, \phi) 的取值介于主导的内层空穴能隙 Δ2h(x)\Delta_{2h}(x) 与外层空穴能隙 Δ1h(x)\Delta_{1h}(x) 之间。接近 AFM 转变时,电子能隙 Δe(x,ϕ)\Delta_e (x, \phi) 急剧增大,并在量级上更接近主导的内层空穴能隙 Δ2h(x)\Delta_{2h}(x)。具有相近电子与内层空穴能隙 Δ2h(x)Δe(x,ϕ)\Delta_{2h}(x) \approx \Delta_e (x, \phi) 的同一双能隙态也保留在反铁磁与超导共存相中。电子能隙 Δe(x,ϕ)\Delta_e (x, \phi) 的掺杂依赖关系与 AFM 转变区中自旋涨落相互作用的强掺杂依赖有关。与电子能隙 Δe(x,ϕ)\Delta_e (x, \phi) 相反,空穴能隙 Δ1,2h(x)\Delta_{1,2h}(x) 和临界温度 Tc(x)T_{c}(x) 在 AFM 转变前后的掺杂依赖关系,均与态密度 γnh(x)\gamma_{nh}(x) 的变化以及空穴带中的带内电子-声子相互作用有关。在整个 Co 浓度范围内,空穴带中的非声子自旋涨落相互作用相比于带内电子-声子相互作用较小,且在 Ba(Fe1xCox)2As2Ba(Fe_{1-x}Co_{x})_{2}As_{2} 族中不占主导。

关键词

引用

@article{arxiv.1812.10118,
  title  = {Doping evolution of the gap structure and spin-fluctuation pairing in $Ba(Fe_{1-x}Co_{x})_{2}As_{2}$ superconductors},
  author = {A. E. Karakozov and M. V. Magnitskaya and L. S. Kadyrov and B. P. Gorshunov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1812.10118},
  year   = {2019}
}