掺杂对 Bi2Sr2CaCu2O{8 + delta} 超导导电隧道间隙的影响
超导电性
2009-10-31 v2
摘要
研究了掺杂对 Bi2Sr2CaCu2O{8 + \delta} 晶体中超导导电隧道间隙对称性和大小的影响。利用对布里渊区对角线（B_{2g}）和主轴（B_{1g}）附近费米面区域的电子拉曼散射实验。发现拉曼响应函数在低能区的频率依赖性对 B_{2g} 为线性，对 B_{1g} 为三次式（T < T_c）。上述观察结果表明，对于略显不完全掺杂和过掺杂晶体，超导导电隧道间隙的掺杂依赖性与 d_{x^2-y^2} 对称性相一致。对 B_{1g} 光谱中出现的配对破坏峰的研究表明，最大间隙大小随着空穴掺杂增大（p > 0.12）单调减小。根据 B_{1g} 再规范化的大小，发现参与配对的准粒子数随掺杂增大而单调增加。相反，B_{2g} 光谱显示出一种弱的“配对破坏峰”，其对空穴浓度呈抛物线状依赖（0.12 < p < 0.23）。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012413,
title = {Doping dependence of the superconducting gap in Bi2Sr2CaCu2O{8 + delta}},
author = {K. C. Hewitt and J. C. Irwin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012413},
year = {2009}
}
备注
9 pages REvTex document including 8 eps figures; new table II; changes to Fig. 5 and text