三带 Hubbard 模型中的配对、电荷与自旋关联

我们采用受限路径蒙特卡罗（CPMC）方法，对二维三带 Hubbard 模型进行仿真，以研究随电子和空穴掺杂以及相邻 Cu 和 O 格点间电荷 $V_{pd}$ 的库仑相互作用而引起的配对、电荷和自旋关联。随距离，$d_{x^2 - y^2}$ 波和延拓 s 波配对关联均快速衰减。在电荷转移 regime 下，增加 $V_{pd}$ 会减弱两种通道中长程关联函数的强度；而在混合价 regime 下，增加 $V_{pd}$ 会增强 s 波行为的长程部分，但减弱 d 波行为的长程部分。尽管如此，d 波行为仍占主导。对于给定掺杂水平，增加 $V_{pd}$ 在电荷转移 regime 下会增强自旋-自旋关联，但在混合价 regime 下会减弱自旋-自旋关联。此外，增加 $V_{pd}$ 抑制了相邻 Cu 和 O 格点间的电荷-电荷关联。远离半填充的电子和空穴掺杂伴随反铁磁关联的快速抑制。